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Cette avancée pulvérise la limite d’échelle NAND et marque le début d’une ère nouvelle pour la mémoire 3D. Samsung Electronics a annoncé le début de la production en grande série de la première mémoire flash NAND verticale (V-NAND) en trois dimensions (3D). Avec cette amélioration des performances et du rapport de surface, la nouvelle V-NAND 3D aura sa place dans de nombreux appareils, notamment le stockage NAND intégré et les SSD (solid state drives).
La structure de cellules verticale de la nouvelle V-NAND de Samsung, de 128 gigabits (Gb) sur une seule puce, est basée à la fois sur la technologie 3D CTF (Charge Trap Flash) et sur la technologie de gravure d’interconnexion verticale pour relier la matrice de cellules 3D. En les combinant, la V-NAND 3D de Samsung offre une réduction d’échelle deux fois plus forte que celle de la flash NAND en technologie planaire de classe 20 nm…….La suite de l’article ICI