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Pour repousser un peu plus les limites de la densité d’intégration des circuits.

Du point de vue d’un électron en train de turbiner dans un transistor, le parcours entre source et drain ressemble à la traversée, à une heure de pointe, d’un carrefour privé de feux rouges : collisions et autres déviations de trajectoire restreignent son libre parcours moyen à quelques nanomètres.

Oubliez la galette de silicium, adoptez la crêpe de graphène, et exit cette cohue atomique qui altère les performances des composants.

Source ELEKTOR Voir la suite de l’article ICI