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GaN Systems lance cinq transistors GaN normalement bloqués de 100 V, dans un boîtier de faible inductance et thermiquement optimisé. Avec une faible résistance à l’état passant et une faible charge totale de grille, ils sont optimisés pour la commutation haute vitesse. Comme son nom l’indique, GaN Systems est spécialiste des semi-conducteurs de puissance au nitrure de gallium.
Ces nouveaux transistors appartiennent à une famille de transistors GaN couvrant la gamme de 20 à 80 A avec une très faible résistance à l’état passant. Les GS61002P, GS61004P, GS61006P et GS61008P affichent respectivement 20 A / 21 mΩ, 40 A / 11 mΩ, 60 A / 8 mΩ et 80 A / 5 mΩ. Le GS71008P est un circuit demi-pont de 80 A / 5 mΩ….suite de l’article sur Elektor ICI