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Double MOSFET canal-N à faible résistance
La capacité des batteries d’appareils portables augmente. Pour conserver des temps de charge acceptables, les circuits chargés de les recharger doivent supporter des courants et des fréquences de plus en plus élevées.
Toshiba lance un double MOSFET canal-N à faible résistance, destiné aux applications de gestion d’énergie dans les appareils portables. Le MOSFET SSM6N58NU répond aux besoins des circuits de charge à forte intensité, ainsi qu’à ceux des circuits de recharge sans fil, présents dans les téléphones tactiles, les tablettes ou les ordinateurs portables.
Le SSM6N58NU répond à cela avec un courant de drain (ID) DC maximum de 4 A, et un courant de drain pulsé (IDP) maximum de 10 A. En outre, la commutation de ce MOSFET est plus rapide car la charge de grille et la capacité sont sensiblement réduites…..La suite de l’article sur Elektor ICI